该主控提供PCIe 4个Lane和8个NAND Flash通道，支持3D MLC/TLC/QLC的NAND，使用LDPC以及Enhance RAID增强了数据可靠性和耐久性。支持1.2V和1.8V接口电压，国密SM2/SM3/SM4，TCG OPAL。消费级工作温度范围：0°C-70°C，工业级工作温度范围：-40°C-85°C。顺序读写速度高达3500MB/s，3200MB/s，随机读写速度都高达800K IOPS。
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财政部发布集成电路设计和软件产业企业所得税政策：在2018年12月31日前自获利年度起计算优惠期， 年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。
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MP600系列的惊人性能源于PCIe 4.0的大幅增加带宽，这一功能将首次作为AMD X570芯片组和第三代AMD Ryzen桌面处理器的一部分提供给客户。MP600采用NVMe接口和高密度3D TLC，搭配Phison PS5016-E16控制器，可实现更好的SSD性能。MP600连续读取性能 可达4950MB/s，连续写入速度高达4250MB/s，有望成为第三代AMD Ryzen桌面处理器和基于AMD X570芯片组的系统的存储中心。
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为了扭转供过于求的市场现状，继西部数据在2018年底减缓投资后，美光、SK海力士、英特尔纷纷宣布减少NAND Flash或DRAM产出量。在市场供过于求的市况下，三星虽然未明确表态要减产，但是2019年Q1资本支出已减半，更表明2019年将是芯片产业艰难的一年。
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